BLV640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV640
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 35.7 nC
Tiempo de subida (tr): 132 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 159 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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BLV640 Datasheet (PDF)
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BLV640 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 200V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 0.18 Simple Drive Requirements ID 18ADescription This advanced low voltage MOSFET is produced using Bellings proprietary MOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless
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