BLV640 - описание и поиск аналогов

 

BLV640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BLV640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV640 даташит

 ..1. Size:433K  belling
 blv640.pdf pdf_icon

BLV640

BLV640 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 200V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 0.18 Simple Drive Requirements ID 18A Description This advanced low voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary MOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless

Другие MOSFET... TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , 2N60 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 , BLV830 , BLV840 , BLVP304 , BS107 .

History: ZXMP10A18KTC | AP4533GEM-HF | IRLS3034-7PPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.