Справочник MOSFET. BLV640

 

BLV640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLV640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 132 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  belling
 blv640.pdf pdf_icon

BLV640

BLV640 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 200V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 0.18 Simple Drive Requirements ID 18ADescription This advanced low voltage MOSFET is produced using Bellings proprietary MOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.