BLV730 Todos los transistores

 

BLV730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 74 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 38 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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BLV730 Datasheet (PDF)

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BLV730
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BLV730 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 400V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 1.0 Simple Drive Requirements ID 5.5ADescription This advanced high voltage MOSFET is produced using Bellings proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unles

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