BLV730 - описание и поиск аналогов

 

BLV730. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV730

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BLV730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV730 даташит

 ..1. Size:503K  belling
 blv730.pdf pdf_icon

BLV730

BLV730 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 400V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 1.0 Simple Drive Requirements ID 5.5A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unles

Другие MOSFET... SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , P60NF06 , BLV740 , BLV7N60 , BLV830 , BLV840 , BLVP304 , BS107 , BS107AG , BS107ARL1 .

History: AP50T10AGI-HF | KI2305DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.