BLV740 Todos los transistores

 

BLV740 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV740

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO-220

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BLV740 datasheet

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BLV740

BLV740 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 400V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 0.55 Simple Drive Requirements ID 10A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unles

Otros transistores... BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , 75N75 , BLV7N60 , BLV830 , BLV840 , BLVP304 , BS107 , BS107AG , BS107ARL1 , BS107ARL1G .

 

 

 


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