BLV740 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BLV740
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BLV740 Datasheet (PDF)
blv740.pdf

BLV740 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 400V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 0.55 Simple Drive Requirements ID 10ADescription This advanced high voltage MOSFET is produced using Bellings proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unles
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STB18NM60ND | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2
History: STB18NM60ND | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023