BLV740 - описание и поиск аналогов

 

BLV740. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV740

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BLV740

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV740 даташит

 ..1. Size:574K  belling
 blv740.pdf pdf_icon

BLV740

BLV740 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 400V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 0.55 Simple Drive Requirements ID 10A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unles

Другие MOSFET... BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , 75N75 , BLV7N60 , BLV830 , BLV840 , BLVP304 , BS107 , BS107AG , BS107ARL1 , BS107ARL1G .

History: AP50T10AGI-HF | KI2305DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.