BSB008NE2LX Todos los transistores

 

BSB008NE2LX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB008NE2LX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
   Paquete / Cubierta: CANPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de BSB008NE2LX MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSB008NE2LX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1465K  infineon
 bsb008ne2lx.pdf pdf_icon

BSB008NE2LX

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSB008NE2LXData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSB008NE2LXCanPAK MX-size1 DescriptionFeatures Optimized for e-fuse and OR-ing application Ultra low Rdson in CanPAK-MX footprint Low profile (

Otros transistores... BS170ZL1G , BS250CSM4 , BS250FTA , BS250FTC , BS250KL-TR1-E3 , BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , AON6414A , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G .

 

 
Back to Top

 


 
.