BSB008NE2LX Todos los transistores

 

BSB008NE2LX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSB008NE2LX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 47.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
   Paquete / Cubierta: CANPAK
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros