Справочник MOSFET. BSB008NE2LX

 

BSB008NE2LX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB008NE2LX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm
   Тип корпуса: CANPAK
 

 Аналог (замена) для BSB008NE2LX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB008NE2LX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1465K  infineon
 bsb008ne2lx.pdf pdf_icon

BSB008NE2LX

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSB008NE2LXData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSB008NE2LXCanPAK MX-size1 DescriptionFeatures Optimized for e-fuse and OR-ing application Ultra low Rdson in CanPAK-MX footprint Low profile (

Другие MOSFET... BS170ZL1G , BS250CSM4 , BS250FTA , BS250FTC , BS250KL-TR1-E3 , BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , AON6414A , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G .

 

 
Back to Top

 


 
.