BSB008NE2LX - описание и поиск аналогов

 

BSB008NE2LX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSB008NE2LX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm

Тип корпуса: CANPAK

Аналог (замена) для BSB008NE2LX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB008NE2LX даташит

 ..1. Size:1465K  infineon
 bsb008ne2lx.pdf pdf_icon

BSB008NE2LX

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V BSB008NE2LX Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V BSB008NE2LX CanPAK MX-size 1 Description Features Optimized for e-fuse and OR-ing application Ultra low Rdson in CanPAK-MX footprint Low profile (

Другие MOSFET... BS170ZL1G , BS250CSM4 , BS250FTA , BS250FTC , BS250KL-TR1-E3 , BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , IRFB4227 , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G .

History: CMD5950

 

 

 

 

↑ Back to Top
.