BSB017N03LX3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSB017N03LX3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: MG-WDSON-2

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BSB017N03LX3 datasheet

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BSB017N03LX3

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB017N03LX3 Data Sheet 2.2, 2011-05-27 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB017N03LX3 G 1 Description OptiMOS 30V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Op

 9.1. Size:548K  infineon
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BSB017N03LX3

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BSB017N03LX3

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB014N04LX3 G Data Sheet 2.2, 2011-05-24 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB014N04LX3 G 1 Description OptiMOS 40V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make

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BSB017N03LX3

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB015N04NX3 G Data Sheet 2.3, 2011-05-24 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB015N04NX3 G 1 Description OptiMOS 40V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make

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