Справочник MOSFET. BSB017N03LX3

 

BSB017N03LX3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB017N03LX3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSB017N03LX3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB017N03LX3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1548K  infineon
bsb017n03lx3 bsb017n03lx3g.pdfpdf_icon

BSB017N03LX3

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB017N03LX3 Data Sheet2.2, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB017N03LX3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make Op

 9.1. Size:548K  infineon
bsb019n03lx.pdfpdf_icon

BSB017N03LX3

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.2. Size:1557K  infineon
bsb014n04lx3g.pdfpdf_icon

BSB017N03LX3

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB014N04LX3 G Data Sheet2.2, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB014N04LX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.3. Size:1566K  infineon
bsb015n04nx3g.pdfpdf_icon

BSB017N03LX3

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB015N04NX3 G Data Sheet2.3, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB015N04NX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... BS250KL-TR1-E3 , BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , IRFP250N , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I .

History: 2SJ596 | TJ80S04M3L | KP784A | UPA1872BGR | AD5N60S | PMN28UNE | STU600S

 

 
Back to Top

 


 
.