BSB044N08NN3G Todos los transistores

 

BSB044N08NN3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB044N08NN3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
 

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BSB044N08NN3G PDF Specs

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 bsb044n08nn3g.pdf pdf_icon

BSB044N08NN3G

BSB044N08NN3 G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 80 V Optimized technology for DC/DC converters RDS(on),max 4.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 90 A Superior thermal resistance CanPAKTM M Dual sided cooling MG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (... See More ⇒

Otros transistores... BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , 2N7000 , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS .

 

 
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