BSB044N08NN3G Todos los transistores

 

BSB044N08NN3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB044N08NN3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
 

 Búsqueda de reemplazo de BSB044N08NN3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSB044N08NN3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  infineon
 bsb044n08nn3g.pdf pdf_icon

BSB044N08NN3G

BSB044N08NN3 GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS 80 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 4.4mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Superior thermal resistanceCanPAKTM M Dual sided coolingMG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

Otros transistores... BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , IRF9540 , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS .

History: LSH60R290HF | BSC032NE2LS | RJK0380DPA | SI4862DY | STL4N80K5 | BSB012NE2LXI | ME7705-G

 

 
Back to Top

 


 
.