BSB044N08NN3G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSB044N08NN3G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm

Encapsulados: MG-WDSON-2

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BSB044N08NN3G datasheet

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BSB044N08NN3G

BSB044N08NN3 G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 80 V Optimized technology for DC/DC converters RDS(on),max 4.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 90 A Superior thermal resistance CanPAKTM M Dual sided cooling MG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

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