BSB044N08NN3G - описание и поиск аналогов

 

BSB044N08NN3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSB044N08NN3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm

Тип корпуса: MG-WDSON-2

Аналог (замена) для BSB044N08NN3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB044N08NN3G даташит

 ..1. Size:893K  infineon
 bsb044n08nn3g.pdf pdf_icon

BSB044N08NN3G

BSB044N08NN3 G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 80 V Optimized technology for DC/DC converters RDS(on),max 4.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 90 A Superior thermal resistance CanPAKTM M Dual sided cooling MG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

Другие MOSFET... BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , 2N7000 , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS .

History: CJQ4824 | STW6N120K3 | DG840 | BS170ZL1G | ELM34801AA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.