Справочник MOSFET. BSB044N08NN3G

 

BSB044N08NN3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB044N08NN3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB044N08NN3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  infineon
 bsb044n08nn3g.pdf pdf_icon

BSB044N08NN3G

BSB044N08NN3 GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS 80 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 4.4mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Superior thermal resistanceCanPAKTM M Dual sided coolingMG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SJ554 | STL4N10F7 | VBJ2456 | AM60P04-10D | ZXMD63C03X | PHX8ND50E | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.