Справочник MOSFET. BSB044N08NN3G

 

BSB044N08NN3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB044N08NN3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSB044N08NN3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB044N08NN3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  infineon
 bsb044n08nn3g.pdf pdf_icon

BSB044N08NN3G

BSB044N08NN3 GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS 80 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 4.4mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Superior thermal resistanceCanPAKTM M Dual sided coolingMG-WDSON-2 low parasitic inductance Low profile (

Другие MOSFET... BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , IRF9540 , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS .

History: CJ3139KDW | APM4012NU | IXTQ96N15P | CEB6060N | FDS5170N7 | AD8N60S

 

 
Back to Top

 


 
.