BSB056N10NN3G Todos los transistores

 

BSB056N10NN3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB056N10NN3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0081 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
 

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BSB056N10NN3G Datasheet (PDF)

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BSB056N10NN3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB056N10NN3 G Data Sheet2.5, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB056N10NN3 G1 DescriptionOptiMOS100V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:561K  infineon
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BSB056N10NN3G

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History: NCE8205 | R6002END | KF7N50F | TK17N65W | TK16J60W | SM6A08NSF

 

 
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