BSB056N10NN3G - описание и поиск аналогов

 

BSB056N10NN3G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSB056N10NN3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSB056N10NN3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB056N10NN3G технические параметры

 ..1. Size:1665K  infineon
 bsb056n10nn3g.pdf pdf_icon

BSB056N10NN3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB056N10NN3 G Data Sheet 2.5, 2011-05-27 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB056N10NN3 G 1 Description OptiMOS 100V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:561K  infineon
 bsb053n03lp.pdf pdf_icon

BSB056N10NN3G

& " $ $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F m D n) m x S G3> E;676 5AA>;@9 71 D S 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5 7 F7EF76 S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@ MG D ON S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S * BF;?;L76 8AD ;9 EI;F5 ;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7D S 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57 S A?

Другие MOSFET... BS250PSTOB , BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , P55NF06 , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI .

History: BSB013NE2LXI | AO4444

 

 
Back to Top

 


 
.