BSB056N10NN3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSB056N10NN3G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm

Тип корпуса: MG-WDSON-2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSB056N10NN3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB056N10NN3G даташит

 ..1. Size:1665K  infineon
 bsb056n10nn3g.pdf pdf_icon

BSB056N10NN3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB056N10NN3 G Data Sheet 2.5, 2011-05-27 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB056N10NN3 G 1 Description OptiMOS 100V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:561K  infineon
 bsb053n03lp.pdf pdf_icon

BSB056N10NN3G

& " $ $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F m D n) m x S G3> E;676 5AA>;@9 71 D S 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5 7 F7EF76 S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@ MG D ON S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S * BF;?;L76 8AD ;9 EI;F5 ;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7D S 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57 S A?

Другие IGBT... BS250PSTOB, BS250PSTZ, BSB008NE2LX, BSB012N03LX3, BSB012NE2LXI, BSB013NE2LXI, BSB017N03LX3, BSB044N08NN3G, P55NF06, BSB104N08NP3G, BSB165N15NZ3G, BSB280N15NZ3G, BSC009NE2LS, BSC009NE2LS5, BSC009NE2LS5I, BSC010N04LS, BSC010N04LSI