Справочник MOSFET. BSB056N10NN3G

 

BSB056N10NN3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSB056N10NN3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2

 Аналог (замена) для BSB056N10NN3G

 

 

BSB056N10NN3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1665K  infineon
 bsb056n10nn3g.pdf

BSB056N10NN3G BSB056N10NN3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB056N10NN3 G Data Sheet2.5, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB056N10NN3 G1 DescriptionOptiMOS100V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:561K  infineon
 bsb053n03lp.pdf

BSB056N10NN3G BSB056N10NN3G

& " $ $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F mD n) m xS G3> E;676 5AA>;@9 71 DS 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5:7 F7EF76S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@MG D ON S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S * BF;?;L76 8AD :;9: EI;F5:;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7DS 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57S A?

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top