BSB104N08NP3G Todos los transistores

 

BSB104N08NP3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB104N08NP3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0104 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
 

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BSB104N08NP3G Datasheet (PDF)

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BSB104N08NP3G

BSB104N08NP3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 80 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 10.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 50 A Low profile (

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History: AF10N60S | AP65SL190AP | VS8068AD | SI4825DY | ME15N25 | NP83P06PDG | KI1400DL

 

 
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