BSB104N08NP3G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSB104N08NP3G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0104 Ohm

Encapsulados: MG-WDSON-2

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BSB104N08NP3G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BSB104N08NP3G datasheet

 ..1. Size:597K  infineon
 bsb104n08np3g.pdf pdf_icon

BSB104N08NP3G

BSB104N08NP3 G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 80 V Optimized technology for DC/DC converters RDS(on),max 10.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A Low profile (

Otros transistores... BS250PSTZ, BSB008NE2LX, BSB012N03LX3, BSB012NE2LXI, BSB013NE2LXI, BSB017N03LX3, BSB044N08NN3G, BSB056N10NN3G, 8205A, BSB165N15NZ3G, BSB280N15NZ3G, BSC009NE2LS, BSC009NE2LS5, BSC009NE2LS5I, BSC010N04LS, BSC010N04LSI, BSC010NE2LSI