BSB104N08NP3G Todos los transistores

 

BSB104N08NP3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB104N08NP3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0104 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSB104N08NP3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  infineon
 bsb104n08np3g.pdf pdf_icon

BSB104N08NP3G

BSB104N08NP3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 80 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 10.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 50 A Low profile (

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AS4435S | IRFR9220 | BFC23 | IRFH7446 | SIR496DP | SVF3N80F | AO4914

 

 
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