Справочник MOSFET. BSB104N08NP3G

 

BSB104N08NP3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB104N08NP3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB104N08NP3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  infineon
 bsb104n08np3g.pdf pdf_icon

BSB104N08NP3G

BSB104N08NP3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 80 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 10.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 50 A Low profile (

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.