BSB104N08NP3G - описание и поиск аналогов

 

BSB104N08NP3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSB104N08NP3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm

Тип корпуса: MG-WDSON-2

Аналог (замена) для BSB104N08NP3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB104N08NP3G даташит

 ..1. Size:597K  infineon
 bsb104n08np3g.pdf pdf_icon

BSB104N08NP3G

BSB104N08NP3 G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 80 V Optimized technology for DC/DC converters RDS(on),max 10.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A Low profile (

Другие MOSFET... BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , 8205A , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , BSC010NE2LSI .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.