BSB104N08NP3G - аналоги и даташиты транзистора

 

BSB104N08NP3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSB104N08NP3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSB104N08NP3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB104N08NP3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  infineon
 bsb104n08np3g.pdf pdf_icon

BSB104N08NP3G

BSB104N08NP3 G OptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 80 V Optimized technology for DC/DC convertersRDS(on),max 10.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 50 A Low profile (

Другие MOSFET... BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , 8205A , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , BSC010NE2LSI .

History: LSE55R140GT | WMK18P10TS

 

 
Back to Top

 


 
.