BSC009NE2LS5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC009NE2LS5  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm

Encapsulados: PG-TDSON-8

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BSC009NE2LS5 datasheet

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BSC009NE2LS5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC009NE2LS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC009NE2LS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance buck converters Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% ava

 0.1. Size:1528K  infineon
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BSC009NE2LS5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC009NE2LS5I Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC009NE2LS5I SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance buck converters Monolithic integrated Schottky like diode Very low on

 3.1. Size:693K  infineon
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BSC009NE2LS5

BSC009NE2LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V Optimized for e-fuse and ORing application RDS(on),max 0.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 38 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 126 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 P

 9.1. Size:1552K  infineon
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BSC009NE2LS5

BSC007N04LS6 MOSFET TDSON-8 FL (enlarged source interconnection) OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V 8 7 6 Features 5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance R DS(on) 1 5 2 6 100% avalanche tested 7 3 4 8 Superior thermal resistance N-channel 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

Otros transistores... BSB013NE2LXI, BSB017N03LX3, BSB044N08NN3G, BSB056N10NN3G, BSB104N08NP3G, BSB165N15NZ3G, BSB280N15NZ3G, BSC009NE2LS, IRF9540, BSC009NE2LS5I, BSC010N04LS, BSC010N04LSI, BSC010NE2LSI, BSC011N03LSI, BSC014N03LS, BSC014N03MS, BSC014N04LS