BSC009NE2LS5 Todos los transistores

 

BSC009NE2LS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC009NE2LS5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8
 

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BSC009NE2LS5 Datasheet (PDF)

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BSC009NE2LS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance buck converters Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% ava

 0.1. Size:1528K  infineon
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BSC009NE2LS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5IData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5ISuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance buck converters Monolithic integrated Schottky like diode Very low on

 3.1. Size:693K  infineon
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BSC009NE2LS5

BSC009NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for e-fuse and ORing applicationRDS(on),max 0.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 38 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 126 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 P

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BSC009NE2LS5

BSC007N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

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History: GSM9435WS | APT12F60K

 

 
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