BSC009NE2LS5 - описание и поиск аналогов

 

BSC009NE2LS5 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSC009NE2LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC009NE2LS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC009NE2LS5 технические параметры

 ..1. Size:1502K  infineon
bsc009ne2ls5.pdfpdf_icon

BSC009NE2LS5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC009NE2LS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC009NE2LS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance buck converters Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% ava

 0.1. Size:1528K  infineon
bsc009ne2ls5i.pdfpdf_icon

BSC009NE2LS5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC009NE2LS5I Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC009NE2LS5I SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance buck converters Monolithic integrated Schottky like diode Very low on

 3.1. Size:693K  infineon
bsc009ne2ls.pdfpdf_icon

BSC009NE2LS5

BSC009NE2LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V Optimized for e-fuse and ORing application RDS(on),max 0.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 38 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 126 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 P

 9.1. Size:1552K  infineon
bsc007n04ls6.pdfpdf_icon

BSC009NE2LS5

BSC007N04LS6 MOSFET TDSON-8 FL (enlarged source interconnection) OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V 8 7 6 Features 5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance R DS(on) 1 5 2 6 100% avalanche tested 7 3 4 8 Superior thermal resistance N-channel 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

Другие MOSFET... BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , IRF9540 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , BSC010NE2LSI , BSC011N03LSI , BSC014N03LS , BSC014N03MS , BSC014N04LS .

History: DHS021N04D | BSB056N10NN3G

 

 
Back to Top

 


 
.