BSC016N06NS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC016N06NS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: PG-TDSON-8

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BSC016N06NS datasheet

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BSC016N06NS

BSC016N06NS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 60 V Optimized for synchronous rectification RDS(on),max 1.6 mW 100% avalanche tested ID 100 A Superior thermal resistance QOSS 81 nC N-channel QG(0V..10V) 71 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 FL Pb-free lead plating; RoHS compliant enlarged source

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BSC016N06NS

BSC016N06NST MOSFET TDSON-8 FL (enlarged source interconnection) OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V 8 7 6 Features 5 Optimized for synchronous rectification 175 C rated 1 5 2 6 100% avalanche tested 7 3 4 8 Superior thermal resistance N-channel 4 Qualified according to JEDEC1) for target applications 3 Pb-free lead plating; RoHS compliant 2 1

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