BSC016N06NS datasheet, аналоги, параметры транзистора

BSC016N06NS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSC016N06NS 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для BSC016N06NS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

BSC016N06NS даташит

..1. Size:566K infineon
bsc016n06ns.pdf pdf_icon

BSC016N06NS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 60 V Optimized for synchronous rectification RDS(on),max 1.6 mW 100% avalanche tested ID 100 A Superior thermal resistance QOSS 81 nC N-channel QG(0V..10V) 71 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 FL Pb-free lead plating; RoHS compliant enlarged source

0.1. Size:1264K infineon
bsc016n06nst.pdf pdf_icon

BSC016N06NST MOSFET TDSON-8 FL (enlarged source interconnection) OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V 8 7 6 Features 5 Optimized for synchronous rectification 175 C rated 1 5 2 6 100% avalanche tested 7 3 4 8 Superior thermal resistance N-channel 4 Qualified according to JEDEC1) for target applications 3 Pb-free lead plating; RoHS compliant 2 1

6.1. Size:311K infineon
bsc016n04lsg.pdf pdf_icon