BSC019N04LS Todos los transistores

 

BSC019N04LS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC019N04LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8
 

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BSC019N04LS PDF Specs

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BSC019N04LS

BSC019N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 37 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-... See More ⇒

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BSC019N04LS

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BSC019N04LS

BSC019N04NS www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0025 at VGS = 10 V 120 TrenchFET Power MOSFET 40 38 nC 0.0028 at VGS = 6.5 V 105 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification Secondary Side DC/DC D ... See More ⇒

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BSC019N04LS

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Otros transistores... BSC014N04LSI , BSC014N06NS , BSC014NE2LSI , BSC016N03LS , BSC016N03MS , BSC016N06NS , BSC018NE2LSI , BSC019N02KS , 12N60 , BSC020N03LS , BSC020N03MS , BSC022N04LS , BSC025N03LS , BSC025N03MS , BSC026N02KS , BSC026N04LS , BSC026N08NS5 .

 

 
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