BSC019N04LS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC019N04LS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: PG-TDSON-8

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BSC019N04LS datasheet

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BSC019N04LS

BSC019N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 37 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

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BSC019N04LS

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BSC019N04LS

BSC019N04NS www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0025 at VGS = 10 V 120 TrenchFET Power MOSFET 40 38 nC 0.0028 at VGS = 6.5 V 105 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification Secondary Side DC/DC D

 6.1. Size:663K  infineon
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BSC019N04LS

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