BSC019N04LS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSC019N04LS
Маркировка: 019N04LS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 840 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0019 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC019N04LS
BSC019N04LS Datasheet (PDF)
bsc019n04ls.pdf
BSC019N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 37 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-
bsc019n04nsg.pdf
BSC019N04NS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)
bsc019n04ns.pdf
BSC019N04NSwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 10 V 120 TrenchFET Power MOSFET40 38 nC0.0028 at VGS = 6.5 V 105 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Synchronous Rectification Secondary Side DC/DCD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
