BSC019N04LS - описание и поиск аналогов

 

BSC019N04LS - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSC019N04LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC019N04LS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC019N04LS технические параметры

 ..1. Size:526K  infineon
 bsc019n04ls.pdf pdf_icon

BSC019N04LS

BSC019N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 37 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

 5.1. Size:377K  infineon
 bsc019n04nsg.pdf pdf_icon

BSC019N04LS

 5.2. Size:3484K  cn vbsemi
 bsc019n04ns.pdf pdf_icon

BSC019N04LS

BSC019N04NS www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0025 at VGS = 10 V 120 TrenchFET Power MOSFET 40 38 nC 0.0028 at VGS = 6.5 V 105 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification Secondary Side DC/DC D

 6.1. Size:663K  infineon
 bsc019n02ks.pdf pdf_icon

BSC019N04LS

% ! % D # A0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC014N04LSI , BSC014N06NS , BSC014NE2LSI , BSC016N03LS , BSC016N03MS , BSC016N06NS , BSC018NE2LSI , BSC019N02KS , 12N60 , BSC020N03LS , BSC020N03MS , BSC022N04LS , BSC025N03LS , BSC025N03MS , BSC026N02KS , BSC026N04LS , BSC026N08NS5 .

 

 
Back to Top

 


 
.