BSC026NE2LS5 Todos los transistores

 

BSC026NE2LS5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC026NE2LS5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8
 

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BSC026NE2LS5 PDF Specs

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BSC026NE2LS5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC026NE2LS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 V BSC026NE2LS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance buck converters Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% ava... See More ⇒

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BSC026NE2LS5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC026N08NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC026N08NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for Synchronous Rectification in server and desktop 100% avalanche tested Superior t... See More ⇒

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BSC026NE2LS5

BSC026N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 28 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-... See More ⇒

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