BSC026NE2LS5 Todos los transistores

 

BSC026NE2LS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC026NE2LS5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8
 

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BSC026NE2LS5 Datasheet (PDF)

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BSC026NE2LS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC026NE2LS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC026NE2LS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance buck converters Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% ava

 7.1. Size:1182K  infineon
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BSC026NE2LS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC026N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC026N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for Synchronous Rectification in server and desktop 100% avalanche tested Superior t

 7.2. Size:662K  infineon
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BSC026NE2LS5

% ! % D #:A0

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BSC026NE2LS5

BSC026N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 28 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-

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History: SLF32N20C | GSM4804

 

 
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