Справочник MOSFET. BSC026NE2LS5

 

BSC026NE2LS5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC026NE2LS5
   Маркировка: 26NE2LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8

 Аналог (замена) для BSC026NE2LS5

 

 

BSC026NE2LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1492K  infineon
 bsc026ne2ls5.pdf

BSC026NE2LS5 BSC026NE2LS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC026NE2LS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC026NE2LS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance buck converters Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% ava

 7.1. Size:1182K  infineon
 bsc026n08ns5.pdf

BSC026NE2LS5 BSC026NE2LS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC026N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC026N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for Synchronous Rectification in server and desktop 100% avalanche tested Superior t

 7.2. Size:662K  infineon
 bsc026n02ksg.pdf

BSC026NE2LS5 BSC026NE2LS5

% ! % D #:A0

 7.3. Size:586K  infineon
 bsc026n04ls.pdf

BSC026NE2LS5 BSC026NE2LS5

BSC026N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 28 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-

 7.4. Size:659K  infineon
 bsc026n02ks.pdf

BSC026NE2LS5 BSC026NE2LS5

% ! % D #:A0

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top