BSC030N08NS5 Todos los transistores

 

BSC030N08NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC030N08NS5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8
 

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BSC030N08NS5 Datasheet (PDF)

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BSC030N08NS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC030N08NS5Data SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC030N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re

 6.1. Size:687K  infineon
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BSC030N08NS5

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 6.2. Size:378K  infineon
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BSC030N08NS5

BSC030N04NS GOptiMOS3 Power-Transistor Product SummaryV 40 VFeatures DSR 3.0m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),maxI 100 A Optimized technology for DC/DC converters D Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S

 6.3. Size:384K  infineon
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BSC030N08NS5

BSC030N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDSR 3m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),maxI 100 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi

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History: AM7300N | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK | FKP253 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PZ5203QV

 

 
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