BSC030N08NS5 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BSC030N08NS5 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для BSC030N08NS5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC030N08NS5 даташит
bsc030n08ns5.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC030N08NS5 Data Sheet Rev. 2.2 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC030N08NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re
bsc030n03ls .pdf
& " & E $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D m Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- D n) m x 1 D Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1) G D ON Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= &@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q -EA6B @B D96B>2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @
bsc030n04nsg.pdf
BSC030N04NS G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary V 40 V Features DS R 3.0 m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A Optimized technology for DC/DC converters D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) S
bsc030n03lsg.pdf
BSC030N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS R 3 m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A D Optimized technology for DC/DC converters PG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superi
Другие IGBT... BSC025N03MS, BSC026N02KS, BSC026N04LS, BSC026N08NS5, BSC026NE2LS5, BSC028N06NS, BSC030N03LS, BSC030N03MS, BS170, BSC032N04LS, BSC032NE2LS, BSC034N03LS, BSC034N06NS, BSC035N10NS5, BSC036NE7NS3G, BSC037N08NS5, BSC039N06NS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A
Popular searches
2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560







