SI3812DV Todos los transistores

 

SI3812DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3812DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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SI3812DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  vishay
 si3812dv.pdf pdf_icon

SI3812DV

Si3812DVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.125 at VGS = 4.5 V 2.4 LITTLE FOOT Plus200.200 at VGS = 2.5 V 1.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V)VKA (V) IF

Otros transistores... SFW9630 , SFW9634 , SFW9640 , SFW9644 , SFW9Z14 , SFW9Z24 , SFW9Z34 , SI3443DVPBF , 4435 , SI3851DV , SI3853DV , SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY .

History: WML10N70D1 | ZXMS6003G | AS2318 | BSN20 | RU6H7R | WMK110N20HG2 | TK8A65W

 

 
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