SI3812DV Todos los transistores

 

SI3812DV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3812DV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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SI3812DV datasheet

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SI3812DV

Si3812DV Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.125 at VGS = 4.5 V 2.4 LITTLE FOOT Plus 20 0.200 at VGS = 2.5 V 1.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) IF

Otros transistores... SFW9630 , SFW9634 , SFW9640 , SFW9644 , SFW9Z14 , SFW9Z24 , SFW9Z34 , SI3443DVPBF , IRFP260 , SI3851DV , SI3853DV , SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY .

History: DMP2004VK | SSI65R360S2 | AP3P010H

 

 

 

 

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