SI3812DV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI3812DV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
SI3812DV Datasheet (PDF)
..1. Size:208K vishay
si3812dv.pdf
si3812dv.pdf
Si3812DVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.125 at VGS = 4.5 V 2.4 LITTLE FOOT Plus200.200 at VGS = 2.5 V 1.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V)VKA (V) IF
Другие MOSFET... SFW9630 , SFW9634 , SFW9640 , SFW9644 , SFW9Z14 , SFW9Z24 , SFW9Z34 , SI3443DVPBF , STP80NF70 , SI3851DV , SI3853DV , SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY .
