SI3812DV - аналоги и даташиты транзистора

 

SI3812DV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI3812DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для SI3812DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3812DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  vishay
 si3812dv.pdf pdf_icon

SI3812DV

Si3812DVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.125 at VGS = 4.5 V 2.4 LITTLE FOOT Plus200.200 at VGS = 2.5 V 1.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V)VKA (V) IF

Другие MOSFET... SFW9630 , SFW9634 , SFW9640 , SFW9644 , SFW9Z14 , SFW9Z24 , SFW9Z34 , SI3443DVPBF , 4435 , SI3851DV , SI3853DV , SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY .

History: SWB038R10ES | SI4500BDY | RU40C40L4 | IRFB41N15DPBF | 2SK3868 | SW4N65D | RU80T4H

 

 
Back to Top

 


 
.