SI3812DV - описание и поиск аналогов

 

SI3812DV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3812DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для SI3812DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3812DV даташит

 ..1. Size:208K  vishay
 si3812dv.pdf pdf_icon

SI3812DV

Si3812DV Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.125 at VGS = 4.5 V 2.4 LITTLE FOOT Plus 20 0.200 at VGS = 2.5 V 1.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) IF

Другие MOSFET... SFW9630 , SFW9634 , SFW9640 , SFW9644 , SFW9Z14 , SFW9Z24 , SFW9Z34 , SI3443DVPBF , IRFP260 , SI3851DV , SI3853DV , SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.