BSC0923NDI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC0923NDI
   Código: 0923NDI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TISON-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC0923NDI

BSC0923NDI Datasheet (PDF)

..1. Size:690K infineon
bsc0923ndi.pdf

BSC0923NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 2.8 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 7 3.7 100% avalanche testedID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; R

8.1. Size:586K infineon
bsc0925nd.pdf

BSC0925NDOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Dual N-channel OptiMOS MOSFETRDS(on),max 5 mW Optimized for clean switchingID 40 A 100% avalanche testedQOSS 8.6 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 13 nC Optimized for high performance Buck converter Qualified according to JEDEC1) for target applicationsVPhase

8.2. Size:693K infineon
bsc0921ndi.pdf

BSC0921NDIDual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 1.6 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 7 2.1 N-channelID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant

8.3. Size:685K infineon
bsc0924ndi.pdf

BSC0924NDIDual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Integrated monolithic Schottky-like diodeRDS(on),max VGS=10 V 5 3.7 mW Optimized for high performance Buck converter VGS=4.5 V 7 5.2 Logic level (4.5V rated)ID 40 40 A 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC1) for tar

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Liste

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