BSC0923NDI - описание и поиск аналогов

 

BSC0923NDI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC0923NDI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: PG-TISON-8

Аналог (замена) для BSC0923NDI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC0923NDI даташит

 ..1. Size:690K  infineon
bsc0923ndi.pdfpdf_icon

BSC0923NDI

BSC0923NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFET Product Summary Features Q1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFET VDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 2.8 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 7 3.7 100% avalanche tested ID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; R

 8.1. Size:586K  infineon
bsc0925nd.pdfpdf_icon

BSC0923NDI

BSC0925ND OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Dual N-channel OptiMOS MOSFET RDS(on),max 5 mW Optimized for clean switching ID 40 A 100% avalanche tested QOSS 8.6 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 13 nC Optimized for high performance Buck converter Qualified according to JEDEC1) for target applications VPhase

 8.2. Size:693K  infineon
bsc0921ndi.pdfpdf_icon

BSC0923NDI

BSC0921NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFET Product Summary Features Q1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFET VDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 1.6 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 7 2.1 N-channel ID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant

 8.3. Size:685K  infineon
bsc0924ndi.pdfpdf_icon

BSC0923NDI

BSC0924NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFET Product Summary Features Q1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFET VDS 30 30 V Integrated monolithic Schottky-like diode RDS(on),max VGS=10 V 5 3.7 mW Optimized for high performance Buck converter VGS=4.5 V 7 5.2 Logic level (4.5V rated) ID 40 40 A 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC1) for tar

Другие MOSFET... BSC080N03LS , BSC080N03MS , BSC0901NSI , BSC0902NSI , BSC0904NSI , BSC0910NDI , BSC0911ND , BSC0921NDI , AOD4184A , BSC0924NDI , BSC0925ND , BSC097N06NS , BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS .

History: BSC0911ND | IRFU3708PBF | SPA11N60C3E8185

 

 

 

 

↑ Back to Top
.