BSC500N20NS3G Todos los transistores

 

BSC500N20NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC500N20NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8
 

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BSC500N20NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  infineon
 bsc500n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC500N20NS3G

BSC500N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 200 V N-channel, normal levelRDS(on),max 50 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 24 A Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for

Otros transistores... BSC097N06NS , BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , IRF540N , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ .

History: HM1N60 | BSD316SN

 

 
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