BSC500N20NS3G - описание и поиск аналогов

 

BSC500N20NS3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC500N20NS3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

Аналог (замена) для BSC500N20NS3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC500N20NS3G даташит

 ..1. Size:540K  infineon
 bsc500n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC500N20NS3G

BSC500N20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V N-channel, normal level RDS(on),max 50 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 24 A Very low on-resistance R DS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for

Другие MOSFET... BSC097N06NS , BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , IRF540N , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ .

History: 9N90L-T47 | BM3402 | AP4438GM-HF | 2N4342 | RTQ020N05 | 4N65G-TM3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.