Справочник MOSFET. BSC500N20NS3G

 

BSC500N20NS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC500N20NS3G
   Маркировка: 500N20NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC500N20NS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC500N20NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  infineon
 bsc500n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC500N20NS3G

BSC500N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 200 V N-channel, normal levelRDS(on),max 50 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 24 A Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for

Другие MOSFET... BSC097N06NS , BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , IRF540 , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ .

History: CEB603AL | IXFN200N06 | CSD23280F3 | BSC0908NS

 

 
Back to Top

 


 
.