BSD214SN Todos los transistores

 

BSD214SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSD214SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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BSD214SN datasheet

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BSD214SN

BSD214SN OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =4.5 V 140 m DS(on),max GS Enhancement mode V =2.5 V 250 GS Super Logic level (2.5V rated) I 1.5 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT363 100% lead-free; RoHS compliant 6 5 4 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3 Type

Otros transistores... BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , IRF540 , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G .

History: FQP50N06 | IXFA18N65X2 | FW206 | FTP03N06NA

 

 

 

 

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