Справочник MOSFET. BSD214SN

 

BSD214SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSD214SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для BSD214SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSD214SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  infineon
 bsd214sn.pdf pdf_icon

BSD214SN

BSD214SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 140mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 250GS Super Logic level (2.5V rated)I 1.5 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT363 100% lead-free; RoHS compliant654 Halogen-free according to IEC61249-2-21123Type

Другие MOSFET... BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , IRF540N , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G .

History: FQB8P10TM | OSG70R350PF | CSD16412Q5A

 

 
Back to Top

 


 
.