BSD840N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSD840N
   Código: XBs
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.88 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.75 V
   Carga de la puerta (Qg): 0.26 nC
   Tiempo de subida (tr): 2.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSD840N

BSD840N Datasheet (PDF)

..1. Size:183K infineon
bsd840n.pdf

BSD840NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS Dual N-channelR V =2.5 V 400mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 560GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 0.88 AD Avalanche ratedPG-SOT-363 Qualified according to AEC Q101654 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21123

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: