BSD840N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSD840N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: SOT-363
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BSD840N datasheet
bsd840n.pdf
BSD840N OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS Dual N-channel R V =2.5 V 400 m DS(on),max GS Enhancement mode V =1.8 V 560 GS Ultra Logic level (1.8V rated) I 0.88 A D Avalanche rated PG-SOT-363 Qualified according to AEC Q101 6 5 4 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3
Otros transistores... BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , IRF1404 , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK .
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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