Справочник MOSFET. BSD840N

 

BSD840N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSD840N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для BSD840N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSD840N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  infineon
 bsd840n.pdf pdf_icon

BSD840N

BSD840NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS Dual N-channelR V =2.5 V 400mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 560GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 0.88 AD Avalanche ratedPG-SOT-363 Qualified according to AEC Q101654 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21123

Другие MOSFET... BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , IRF1404 , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK .

History: PHD45N03LTA

 

 
Back to Top

 


 
.