BSD840N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSD840N
Маркировка: XBs
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.75 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.88 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.26 nC
Время нарастания (tr): 2.2 ns
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
BSD840N Datasheet (PDF)
..1. Size:183K infineon
bsd840n.pdf
bsd840n.pdf
BSD840NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS Dual N-channelR V =2.5 V 400mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 560GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 0.88 AD Avalanche ratedPG-SOT-363 Qualified according to AEC Q101654 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21123
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
