BSD840N - описание и поиск аналогов

 

BSD840N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSD840N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для BSD840N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSD840N даташит

 ..1. Size:183K  infineon
 bsd840n.pdf pdf_icon

BSD840N

BSD840N OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS Dual N-channel R V =2.5 V 400 m DS(on),max GS Enhancement mode V =1.8 V 560 GS Ultra Logic level (1.8V rated) I 0.88 A D Avalanche rated PG-SOT-363 Qualified according to AEC Q101 6 5 4 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3

Другие MOSFET... BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , IRF1404 , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK .

History: IRFU3410PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.