Справочник MOSFET. BSD840N

 

BSD840N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSD840N
   Маркировка: XBs
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.26 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для BSD840N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSD840N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  infineon
 bsd840n.pdf pdf_icon

BSD840N

BSD840NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS Dual N-channelR V =2.5 V 400mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 560GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 0.88 AD Avalanche ratedPG-SOT-363 Qualified according to AEC Q101654 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21123

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.