BSF030NE2LQ Todos los transistores

 

BSF030NE2LQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSF030NE2LQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: MG-WDSON-2

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BSF030NE2LQ datasheet

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BSF030NE2LQ

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSF030NE2LQ Data Sheet 2.3, 2011-09-19 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSF030NE2LQ 1 Description OptiMOS 25V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 9.1. Size:864K  infineon
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BSF030NE2LQ

BSF035NE2LQ OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 3.5 mW Low parasitic inductance ID 69 A Low profile (

Otros transistores... BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , IRLZ44N , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 .

 

 

 


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