BSF030NE2LQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSF030NE2LQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: MG-WDSON-2
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BSF030NE2LQ datasheet
bsf030ne2lq.pdf
n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSF030NE2LQ Data Sheet 2.3, 2011-09-19 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSF030NE2LQ 1 Description OptiMOS 25V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS
bsf035ne2lq.pdf
BSF035NE2LQ OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 3.5 mW Low parasitic inductance ID 69 A Low profile (
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