Справочник MOSFET. BSF030NE2LQ

 

BSF030NE2LQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSF030NE2LQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSF030NE2LQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF030NE2LQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1522K  infineon
 bsf030ne2lq.pdf pdf_icon

BSF030NE2LQ

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF030NE2LQ Data Sheet2.3, 2011-09-19Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF030NE2LQ1 DescriptionOptiMOS25V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 9.1. Size:864K  infineon
 bsf035ne2lq.pdf pdf_icon

BSF030NE2LQ

BSF035NE2LQOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converterRDS(on),max 3.5 mW Low parasitic inductanceID 69 A Low profile (

Другие MOSFET... BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , IRFP260N , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 .

History: STS4300

 

 
Back to Top

 


 
.