BSF030NE2LQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSF030NE2LQ
Маркировка: 03E2'
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.3 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: MG-WDSON-2
Аналог (замена) для BSF030NE2LQ
BSF030NE2LQ Datasheet (PDF)
bsf030ne2lq.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF030NE2LQ Data Sheet2.3, 2011-09-19Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF030NE2LQ1 DescriptionOptiMOS25V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS
bsf035ne2lq.pdf

BSF035NE2LQOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converterRDS(on),max 3.5 mW Low parasitic inductanceID 69 A Low profile (
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor