BSF077N06NT3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSF077N06NT3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
- Selección de transistores por parámetros
BSF077N06NT3G Datasheet (PDF)
bsf077n06nt3g.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF077N06NT3 G Data Sheet1.4, 2011-03-01Preliminary Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF077N06NT3 G1 DescriptionOptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: RFP12N06RLE | STP55N06L | SH8K12 | BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | AUIRF2804
History: RFP12N06RLE | STP55N06L | SH8K12 | BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | AUIRF2804



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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