BSF077N06NT3G Todos los transistores

 

BSF077N06NT3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSF077N06NT3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm

Encapsulados: MG-WDSON-2

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BSF077N06NT3G datasheet

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BSF077N06NT3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSF077N06NT3 G Data Sheet 1.4, 2011-03-01 Preliminary Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSF077N06NT3 G 1 Description OptiMOS 60V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages

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