BSF077N06NT3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSF077N06NT3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
Búsqueda de reemplazo de BSF077N06NT3G MOSFET
BSF077N06NT3G Datasheet (PDF)
bsf077n06nt3g.pdf
n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF077N06NT3 G Data Sheet1.4, 2011-03-01Preliminary Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF077N06NT3 G1 DescriptionOptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages
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History: HM180N02 | 2SK4069-S27-AY | SVSP14N65FJDD2 | HM18N40A | 1H05
History: HM180N02 | 2SK4069-S27-AY | SVSP14N65FJDD2 | HM18N40A | 1H05
Liste
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