Справочник MOSFET. BSF077N06NT3G

 

BSF077N06NT3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSF077N06NT3G
   Маркировка: 0206'
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF077N06NT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1602K  infineon
bsf077n06nt3g.pdfpdf_icon

BSF077N06NT3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF077N06NT3 G Data Sheet1.4, 2011-03-01Preliminary Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF077N06NT3 G1 DescriptionOptiMOS60V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BUK7504-40A | IRFD110 | VS3698AD | AFN1530

 

 
Back to Top

 


 
.