BSF077N06NT3G - описание и поиск аналогов

 

BSF077N06NT3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSF077N06NT3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm

Тип корпуса: MG-WDSON-2

Аналог (замена) для BSF077N06NT3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF077N06NT3G даташит

 ..1. Size:1602K  infineon
 bsf077n06nt3g.pdf pdf_icon

BSF077N06NT3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSF077N06NT3 G Data Sheet 1.4, 2011-03-01 Preliminary Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSF077N06NT3 G 1 Description OptiMOS 60V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages

Другие MOSFET... BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , IRF640N , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN .

History: IRFU220PBF | AGM3415E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.