BSF134N10NJ3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSF134N10NJ3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSF134N10NJ3G

BSF134N10NJ3G Datasheet (PDF)

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bsf134n10nj3g.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF134N10NJ3 G Data Sheet2.6, 2014-01-10Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF134N10NJ3 G1 DescriptionOptiMOS100V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

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Liste

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