BSF134N10NJ3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSF134N10NJ3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm
Encapsulados: MG-WDSON-2
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BSF134N10NJ3G datasheet
bsf134n10nj3g.pdf
n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSF134N10NJ3 G Data Sheet 2.6, 2014-01-10 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSF134N10NJ3 G 1 Description OptiMOS 100V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make
Otros transistores... BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , IRFP260N , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N .
History: SVS20N60P7D2
History: SVS20N60P7D2
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