Справочник MOSFET. BSF134N10NJ3G

 

BSF134N10NJ3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSF134N10NJ3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0134 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2

 Аналог (замена) для BSF134N10NJ3G

 

 

BSF134N10NJ3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1692K  infineon
 bsf134n10nj3g.pdf

BSF134N10NJ3G BSF134N10NJ3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF134N10NJ3 G Data Sheet2.6, 2014-01-10Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF134N10NJ3 G1 DescriptionOptiMOS100V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top