BSF134N10NJ3G - описание и поиск аналогов

 

BSF134N10NJ3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSF134N10NJ3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0134 Ohm

Тип корпуса: MG-WDSON-2

Аналог (замена) для BSF134N10NJ3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF134N10NJ3G даташит

 ..1. Size:1692K  infineon
 bsf134n10nj3g.pdf pdf_icon

BSF134N10NJ3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSF134N10NJ3 G Data Sheet 2.6, 2014-01-10 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSF134N10NJ3 G 1 Description OptiMOS 100V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , IRFP260N , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N .

History: XP152A12C0MR-G | CPC3730

 

 

 

 

↑ Back to Top
.