BSH205G2 Todos los transistores

 

BSH205G2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSH205G2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23 SOT-346
 

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BSH205G2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  nxp
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BSH205G2

BSH205G220 V, P-channel Trench MOSFET29 April 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology Enhanced power di

 8.1. Size:112K  philips
bsh205 3.pdf pdf_icon

BSH205G2

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH205 MOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAs Very low threshold voltage VDS = -12 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.75 Ag Subminiature surface mountpackage RDS(ON) 0.5 (VGS = -2.5 V)VGS(TO) 0.4 VdGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23P-channel, enhan

 9.1. Size:110K  philips
bsh202 3.pdf pdf_icon

BSH205G2

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH202 MOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAs Low threshold voltage VDS = -30 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.52 Ag Subminiature surface mountpackage RDS(ON) 0.9 (VGS = -10 V)dGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23P-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPT

 9.2. Size:118K  philips
bsh201 3.pdf pdf_icon

BSH205G2

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH201 MOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAs Low threshold voltage VDS = -60 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.3 Ag Subminiature surface mountpackage RDS(ON) 2.5 (VGS = -10 V)dGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23P-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPTI

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History: AM3599C | STFW4N150 | 25N10G-TM3-T | QM3014N3 | PNMT20V3 | TPCS8007-H | AM50N08-14D

 

 
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