BSH205G2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSH205G2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Аналог (замена) для BSH205G2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSH205G2 даташит
bsh205g2.pdf
BSH205G2 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 April 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology Enhanced power di
bsh205 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH205 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Very low threshold voltage VDS = -12 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.75 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 0.5 (VGS = -2.5 V) VGS(TO) 0.4 V d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhan
bsh202 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH202 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Low threshold voltage VDS = -30 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.52 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 0.9 (VGS = -10 V) d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPT
bsh201 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH201 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Low threshold voltage VDS = -60 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.3 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 2.5 (VGS = -10 V) d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPTI
Другие MOSFET... BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , IRFB4115 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE .
History: BRD7N65
History: BRD7N65
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor










