BSH205G2 - описание и поиск аналогов

 

BSH205G2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSH205G2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: SOT-23 SOT-346

Аналог (замена) для BSH205G2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH205G2 даташит

 ..1. Size:276K  nxp
bsh205g2.pdfpdf_icon

BSH205G2

BSH205G2 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 April 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology Enhanced power di

 8.1. Size:112K  philips
bsh205 3.pdfpdf_icon

BSH205G2

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH205 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Very low threshold voltage VDS = -12 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.75 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 0.5 (VGS = -2.5 V) VGS(TO) 0.4 V d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhan

 9.1. Size:110K  philips
bsh202 3.pdfpdf_icon

BSH205G2

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH202 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Low threshold voltage VDS = -30 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.52 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 0.9 (VGS = -10 V) d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPT

 9.2. Size:118K  philips
bsh201 3.pdfpdf_icon

BSH205G2

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH201 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Low threshold voltage VDS = -60 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.3 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 2.5 (VGS = -10 V) d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPTI

Другие MOSFET... BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , IRFB4115 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE .

History: BRD7N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.