BSL207N Todos los transistores

 

BSL207N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSL207N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-457
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSL207N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  infineon
 bsl207n.pdf pdf_icon

BSL207N

BSL207NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 8.1. Size:360K  infineon
 bsl207sp.pdf pdf_icon

BSL207N

Rev. 2.05BSL207SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 41 m Enhancement modeID -6 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated435 Pb-free lead plating; RoHS compliant 261 QualifiedaccordingtoAECQ101 P-TS

 9.1. Size:427K  infineon
 bsl205n.pdf pdf_icon

BSL207N

BSL205NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 9.2. Size:218K  infineon
 bsl202sn.pdf pdf_icon

BSL207N

BSL202SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 22mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 36GS Super Logic level (2.5V rated)I 7.5 AD Avalanche rated dv /dt ratedTSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Qualified according to AEC Q1014123Type Package Tape and Reel Inf

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History: IMW65R027M1H | CSD16410Q5A

 

 
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