Справочник MOSFET. BSL207N

 

BSL207N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSL207N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-457
 

 Аналог (замена) для BSL207N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL207N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  infineon
 bsl207n.pdf pdf_icon

BSL207N

BSL207NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 8.1. Size:360K  infineon
 bsl207sp.pdf pdf_icon

BSL207N

Rev. 2.05BSL207SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 41 m Enhancement modeID -6 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated435 Pb-free lead plating; RoHS compliant 261 QualifiedaccordingtoAECQ101 P-TS

 9.1. Size:427K  infineon
 bsl205n.pdf pdf_icon

BSL207N

BSL205NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 9.2. Size:218K  infineon
 bsl202sn.pdf pdf_icon

BSL207N

BSL202SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 22mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 36GS Super Logic level (2.5V rated)I 7.5 AD Avalanche rated dv /dt ratedTSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Qualified according to AEC Q1014123Type Package Tape and Reel Inf

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , 2SK3878 , BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C .

History: AFN3606S | VS6880AT | HY3208B | 12P10G-TMS4-T

 

 
Back to Top

 


 
.