Справочник MOSFET. BSL207N

 

BSL207N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSL207N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-457

 Аналог (замена) для BSL207N

 

 

BSL207N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  infineon
 bsl207n.pdf

BSL207N BSL207N

BSL207NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 8.1. Size:360K  infineon
 bsl207sp.pdf

BSL207N BSL207N

Rev. 2.05BSL207SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 41 m Enhancement modeID -6 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated435 Pb-free lead plating; RoHS compliant 261 QualifiedaccordingtoAECQ101 P-TS

 9.1. Size:427K  infineon
 bsl205n.pdf

BSL207N BSL207N

BSL205NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 9.2. Size:218K  infineon
 bsl202sn.pdf

BSL207N BSL207N

BSL202SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 22mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 36GS Super Logic level (2.5V rated)I 7.5 AD Avalanche rated dv /dt ratedTSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Qualified according to AEC Q1014123Type Package Tape and Reel Inf

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top