BSL214N Todos los transistores

 

BSL214N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSL214N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-457
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSL214N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  infineon
 bsl214n.pdf pdf_icon

BSL214N

BSL214NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 9.1. Size:419K  infineon
 bsl215p.pdf pdf_icon

BSL214N

BSL215P#

 9.2. Size:348K  infineon
 bsl211sp.pdf pdf_icon

BSL214N

Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101

 9.3. Size:405K  infineon
 bsl215c.pdf pdf_icon

BSL214N

BSL215COptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 140 mW Super Logic level (2.5V rated)VGS=2.5 V 280 250 Avalanche ratedID -1.5 1.5 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliantPG-TSOP6 Halogen free a

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JCS15N70F | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | SKS10N20 | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004

 

 
Back to Top

 


 
.