BSL214N - аналоги и даташиты транзистора

 

BSL214N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSL214N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT-457
 

 Аналог (замена) для BSL214N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL214N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  infineon
 bsl214n.pdf pdf_icon

BSL214N

BSL214NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 9.1. Size:419K  infineon
 bsl215p.pdf pdf_icon

BSL214N

BSL215P#

 9.2. Size:348K  infineon
 bsl211sp.pdf pdf_icon

BSL214N

Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101

 9.3. Size:405K  infineon
 bsl215c.pdf pdf_icon

BSL214N

BSL215COptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 140 mW Super Logic level (2.5V rated)VGS=2.5 V 280 250 Avalanche ratedID -1.5 1.5 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliantPG-TSOP6 Halogen free a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , STP75NF75 , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , BSL606SN .

 

 
Back to Top

 


 
.