BSL214N - описание и поиск аналогов

 

BSL214N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSL214N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT-457

Аналог (замена) для BSL214N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL214N даташит

 ..1. Size:413K  infineon
bsl214n.pdfpdf_icon

BSL214N

BSL214N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS T H5@ ) 7

 9.1. Size:419K  infineon
bsl215p.pdfpdf_icon

BSL214N

BSL215P #

 9.2. Size:348K  infineon
bsl211sp.pdfpdf_icon

BSL214N

Rev 2.0 BSL211SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 67 m Enhancement mode ID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated) P-TSOP6-6 150 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 4 3 5 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 1 Qualified according to AEC Q101

 9.3. Size:405K  infineon
bsl215c.pdfpdf_icon

BSL214N

BSL215C OptiMOS 2 + OptiMOS -P 2 Small Signal Transistor Product Summary Features P N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement mode RDS(on),max VGS= 4.5 V 150 140 mW Super Logic level (2.5V rated) VGS= 2.5 V 280 250 Avalanche rated ID -1.5 1.5 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliant PG-TSOP6 Halogen free a

Другие MOSFET... BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , 7N65 , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , BSL606SN .

History: BRCS9N20YU | SD5400CY | 2SK3092D | LSH80R2K8GT | FQB19N20L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.