BSL214N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSL214N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT-457
Аналог (замена) для BSL214N
BSL214N Datasheet (PDF)
bsl211sp.pdf

Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101
bsl215c.pdf

BSL215COptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 140 mW Super Logic level (2.5V rated)VGS=2.5 V 280 250 Avalanche ratedID -1.5 1.5 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliantPG-TSOP6 Halogen free a
Другие MOSFET... BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , STP75NF75 , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , BSL606SN .
History: QM2N7002E3K1
History: QM2N7002E3K1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852