BSL214N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSL214N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT-457
Аналог (замена) для BSL214N
BSL214N Datasheet (PDF)
bsl211sp.pdf
Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101
bsl215c.pdf
BSL215COptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 140 mW Super Logic level (2.5V rated)VGS=2.5 V 280 250 Avalanche ratedID -1.5 1.5 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliantPG-TSOP6 Halogen free a
Другие MOSFET... BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , 7N65 , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , BSL606SN .
History: SML50M60BFN | NTMFS5C460NLT3G
History: SML50M60BFN | NTMFS5C460NLT3G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852






