BSL606SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSL606SN
Código: sPW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 3.7 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 131 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-457
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSL606SN
BSL606SN Datasheet (PDF)
bsl606sn.pdf
BSL606SNOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 95 Logic level (4.5V rated)ID 4.5 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-TSOP-6 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant6 5 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Info Marking Hal
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .