BSL606SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSL606SN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-457
Búsqueda de reemplazo de BSL606SN MOSFET
BSL606SN Datasheet (PDF)
bsl606sn.pdf

BSL606SNOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 95 Logic level (4.5V rated)ID 4.5 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-TSOP-6 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant6 5 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Info Marking Hal
Otros transistores... BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , IRF1010E , BSL802SN , BSL806N , BSN20-7 , BSN20BK , BSO200P03S , BSO201SP , BSO203P , BSO203SP .
History: HSBB2627 | NTMFS4833NA
History: HSBB2627 | NTMFS4833NA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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