BSL606SN - описание и поиск аналогов

 

BSL606SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSL606SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-457

Аналог (замена) для BSL606SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL606SN даташит

 ..1. Size:465K  infineon
 bsl606sn.pdf pdf_icon

BSL606SN

BSL606SN OptiMOS -3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 60 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement mode VGS=4.5 V 95 Logic level (4.5V rated) ID 4.5 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-TSOP-6 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant 6 5 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Info Marking Hal

Другие MOSFET... BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , IRF9540N , BSL802SN , BSL806N , BSN20-7 , BSN20BK , BSO200P03S , BSO201SP , BSO203P , BSO203SP .

History: SML40M80AFN | PSMN7R8-120ES | FQA7N80CF109

 

 

 

 

↑ Back to Top
.