BSL606SN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSL606SN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 131 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT-457
BSL606SN Datasheet (PDF)
..1. Size:465K infineon
bsl606sn.pdf
bsl606sn.pdf
BSL606SNOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 95 Logic level (4.5V rated)ID 4.5 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-TSOP-6 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant6 5 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Info Marking Hal
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
