Справочник MOSFET. BSL606SN

 

BSL606SN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSL606SN
   Маркировка: sPW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-457

 Аналог (замена) для BSL606SN

 

 

BSL606SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  infineon
 bsl606sn.pdf

BSL606SN BSL606SN

BSL606SNOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 95 Logic level (4.5V rated)ID 4.5 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-TSOP-6 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant6 5 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Info Marking Hal

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top