BSL606SN - аналоги и даташиты транзистора

 

BSL606SN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSL606SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-457
 

 Аналог (замена) для BSL606SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL606SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  infineon
 bsl606sn.pdf pdf_icon

BSL606SN

BSL606SNOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 95 Logic level (4.5V rated)ID 4.5 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-TSOP-6 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant6 5 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Info Marking Hal

Другие MOSFET... BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , IRF1010E , BSL802SN , BSL806N , BSN20-7 , BSN20BK , BSO200P03S , BSO201SP , BSO203P , BSO203SP .

History: NVMTS0D6N04C | RFM12N18 | RFM25N06 | IRFG5210 | HSBB02P15 | NTMFS015N10MCL | HGN190N15S

 

 
Back to Top

 


 
.